квантование валентной зоны

См. также в других словарях:

• ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия

• ТВЁРДОЕ ТЕЛО — агрегатное состояние в ва, характеризующееся стабильностью формы и хар ром теплового движения атомов, к рые совершают малые колебания вокруг положений равновесия. Различают крист. и аморфные Т. т. Кристаллы характеризуются пространств.… …   Физическая энциклопедия

• ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… …   Физическая энциклопедия

• КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ — изменение термодинамич. и кинетич. свойств кристалла, когда хотя бы один из его геом. размеров становится соизмеримым с длиной волны де Бройля l Б электронов. К. р. э. обусловлены квантованием движения электрона в направлении, в к ром размер… …   Физическая энциклопедия

• ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …   Физическая энциклопедия

• ПОЛУМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ — (разбавленные магнитные полупроводники) полупроводниковые тв. растворы, в к рых осн. диамагн. кристаллич. решётка содержит нек рое кол во парамагн. примесных атомов. Концентрация последних не слишком велика, так что диполь дипольное… …   Физическая энциклопедия

• Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …   Википедия

• ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… …   Физическая энциклопедия

• МАГНЕТОСОПРОТИВЛEНИЕ — изменение удельного сопротивления r проводника (металла, полуметалла, полупроводника) во внешнем магн. поле Н. Количественно М. характеризуется скалярной величиной М. чётное гальваномагнитное явление. Классич. М. обусловлено искривлением… …   Физическая энциклопедия